Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN5R6-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PSMN5R6-100BS

PSMN5R6-100BS,118 Hakkında

Nexperia tarafından üretilen PSMN5R6-100BS,118, 100V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük 5.6mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile enerji verimliliğini artırır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürücü voltajında optimize edilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen PSMN5R6-100BS, güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüsü ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 306W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve düşük gate charge (141nC) özellikleri ile hızlı anahtarlama gerektiren devrelere uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8061 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok