Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN4R8-100YSEX
PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-1023
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN4R8-100YSE
PSMN4R8-100YSEX Hakkında
PSMN4R8-100YSEX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. SOT-1023 (LFPAK56) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, LED aydınlatması ve enerji yönetimi sistemlerinde yer bulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 294W güç üretebildiği için endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8290 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-1023, 4-LFPAK |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 294W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok