Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN4R8-100PSEQ
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN4R8-100PS
PSMN4R8-100PSEQ Hakkında
PSMN4R8-100PSEQ, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-dirençine (5mOhm @ 25A, 10V) sahip olup endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, 405W güç dissipasyonuna kadir olup hızlı komütasyon özellikleriyle dikkat çekmektedir. Gate charge değeri 278nC olup 10V sürme gerilimi ile optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 278 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 405W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok