Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN4R8-100BS
PSMN4R8-100BSEJ Hakkında
PSMN4R8-100BSEJ, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-state direnci (4.8mOhm @ 25A, 10V) ile verimli güç yönetimi sağlar. Surface Mount teknolojisi ile TO-263-3 (D²Pak) kütüphanesinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrolü ve ters akım koruması gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü gerilimi ile CMOS ve TTL devrelerle direkt uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 278 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 405W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok