Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN4R6-60BS,118
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN4R6-60BS
PSMN4R6-60BS,118 Hakkında
Nexperia tarafından üretilen PSMN4R6-60BS,118, 60V drain-source gerilim ve 100A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve 211W güç dağıtabilen bu FET, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, elektrik araç şarj sistemleri ve anahtarlama güç kaynaklarında kullanılır. ±20V Gate-Source gerilimi ve 70.8nC Gate Charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4426 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 211W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok