Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN4R3-30BL,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN4R3-30BL
PSMN4R3-30BL,118 Hakkında
PSMN4R3-30BL,118, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, motor kontrol, güç dönüştürücüler, şarj kontrolörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 103W güç disipasyon kapasitesi ve 41.5nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 103W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok