Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN4R3-100ES,127
TRANSISTOR >30MHZ
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN4R3-100ES
PSMN4R3-100ES,127 Hakkında
PSMN4R3-100ES,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain to Source voltaj kapasitesi ve 120A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4.3mΩ on-resistance ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, motor kontrolünde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir ve 338W'a kadar güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9900 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 338W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok