Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN4R2-80YSE
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-1023
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN4R2-80YSE
PSMN4R2-80YSE Hakkında
PSMN4R2-80YSE, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V Drain-Source gerilimi ve 170A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-1023 (LFPAK56) paket tipi ile yüzey montajlı uygulamalara uygundur. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 170A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-1023, 4-LFPAK |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 294W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok