Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN4R2-30MLDX

MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-1210
Seri / Aile Numarası
PSMN4R2-30ML

PSMN4R2-30MLDX Hakkında

PSMN4R2-30MLDX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drain akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.3mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Body içinde Schottky diyot içeren bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. LFPAK33 yüzey montaj paketinde sunulan MOSFET'in çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasındadır. Maksimum 65W güç dağıtabilir ve 10V gate geriliminde 29.3nC gate yükü gereklidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1795 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package LFPAK33
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok