Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN4R1-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 92A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN4R1-30YLC

PSMN4R1-30YLC,115 Hakkında

Nexperia tarafından üretilen PSMN4R1-30YLC, 30V drain-source geriliminde 92A sürekli drenaj akımı sağlayan N-channel MOSFET transistördür. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) surface mount paketinde sunulan bu FET, düşük 4.35mΩ RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. 10V kapı gerilimine sahip, 23nC gate charge ve 1502pF input capacitance özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında hızlı işlem performansı sunar. Motor sürücüleri, güç yönetimi sistemleri, batarya yönetim devreleri ve endüstriyel güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 67W güç disipasyonu kapasitesi ile ağır yük uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 92A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1502 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.35mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok