Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN3R8-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PSMN3R8-100BS

PSMN3R8-100BS,118 Hakkında

Nexperia tarafından üretilen PSMN3R8-100BS,118, 100V/120A kapasiteli N-Channel MOSFET transistörüdür. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (3.9mΩ @ 25A, 10V) ile yüksek güç yoğunluğu uygulamalarında kullanılır. 306W maksimum güç tüketimi kapasitesiyle motor sürücüleri, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlayan bileşen, 170nC gate charge değeri sayesinde hızlı komütasyon özellikleri sunar. ±20V gate-source voltaj toleransı ile geniş tasarım esnekliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9900 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok