Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN3R7-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN3R7-30YLC
PSMN3R7-30YLC,115 Hakkında
PSMN3R7-30YLC,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 100A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 3.95mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SC-100/SOT-669 (LFPAK56) paketinde sunulan bu FET, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge 29nC @ 10V olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Bileşen durumu Obsolete olup, yeni tasarımlarda alternatif tercih önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1848 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.95mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok