Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN3R3-80ES,127
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN3R3-80ES
PSMN3R3-80ES,127 Hakkında
PSMN3R3-80ES,127, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltajında 120A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük on-state direnç (RDS On) değeri ile verimli güç yönetimi sunar. I²Pak (TO-262) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen transistör, 338W maksimum güç dağıtabilir. Gate charge değeri 139nC olup, 4V eşik voltajında açılır. Through-hole montajı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 139 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9961 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 338W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok