Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN3R3-80ES,127
ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN3R3-80ES
PSMN3R3-80ES,127 Hakkında
PSMN3R3-80ES,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj kapasitesi ile 120A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu silikon tabanlı transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. 3.3mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sunmaktadır. TO-262 (I²Pak) paketine sahip olan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 338W'a kadar enerji yayabilir. Yüksek gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 139 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9961 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 338W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok