Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN3R3-80BS,118

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PSMN3R3-80BS

PSMN3R3-80BS,118 Hakkında

Nexperia PSMN3R3-80BS,118, 80V/120A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 3.5mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 111nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, elektrik araçları (EV) uygulamaları, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. 306W maximum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akımı anahtarlayan devrelerde tercih edilen bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8161 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok