Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN2R9-25YLC,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN2R9-25YLC

PSMN2R9-25YLC,115 Hakkında

Nexperia tarafından üretilen PSMN2R9-25YLC, 25V drain-source geriliminde 100A sürekli akım kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) paketinde sunulan bu transistör, 3.15mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen komponent, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 92W maksimum güç tüketimi ve 33nC gate charge karakteristiği, hızlı ve verimli komütasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2083 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.15mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok