Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN2R8-40YSDX

MOSFET N-CH 40V 160A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN2R8-40YSD

PSMN2R8-40YSDX Hakkında

PSMN2R8-40YSDX, Nexperia tarafından üretilen N-channel power MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj ve 160A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 2.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Entegre Schottky body diyoduna sahip bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, DC-DC konverterler ve switch modlu güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. LFPAK56 (SOT-669) Surface Mount paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 147W maksimum güç tüketebilir. Düşük kapı yükü (62nC) ve kontrollü iletim özellikleri hızlı anahtarlama ve verimli devre tasarımı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4507 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 147W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok