Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN2R8-40BS,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PSMN2R8-40BS

PSMN2R8-40BS,118 Hakkında

Nexperia tarafından üretilen PSMN2R8-40BS,118, 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. D²Pak (TO-263-3) surface mount paketi ile sunulan bu bileşen, 2.9mΩ on-resistance değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 211W güç dağıtabilen bu FET, 10V gate drive voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devreleri, motor kontrol üniteleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. 71nC gate charge ve 4491pF input capacitance değerleri ile driver tasarımında kolaylık sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4491 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok