Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN2R6-60PSQ127

MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
PSMN2R6-60PSQ127

PSMN2R6-60PSQ127 Hakkında

PSMN2R6-60PSQ127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 150A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygun bir elektronik anahtarlama elemanıdır. TO-220AB paketinde sunulan bu transistör, 2.6mΩ on-dirençi ile güç kaybını azaltır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, güç dönüştürücü uygulamalarında ve ağır akım anahtarlama devrelerde tercih edilir. 140nC gate charge sayesinde hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7629 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 326W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok