Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN2R6-60PSQ

MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
PSMN2R6-60PSQ

PSMN2R6-60PSQ Hakkında

Nexperia PSMN2R6-60PSQ, 60V drain-source geriliminde 150A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 pakajında sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (2.6mΩ @ 25A, 10V) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 326W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürücüleri ve kaynak tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve ±20V Vgs maksimum gate geriliminde güvenilir performans sunar. 140nC gate yükü ve 7629pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliklerine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7629 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 326W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok