Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN2R6-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN2R6-30YLC

PSMN2R6-30YLC,115 Hakkında

PSMN2R6-30YLC,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 2.8mΩ (10V, 25A koşullarında) maksimum açık durumda direnç (RDS(On)) ile enerji kaybını minimize eder. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 106W güç yayabilen yapısı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2435 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok