Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN2R4-30YLDX

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN2R4-30YL

PSMN2R4-30YLDX Hakkında

PSMN2R4-30YLDX, Nexperia tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 100A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 2.4mOhm (10V, 25A koşullarında) düşük on-direnci (Rds On) sayesinde enerji kaybını minimumda tutar. LFPAK56 (SOT-669) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 106W güç yayabilir. ±20V gate gerilim toleransı ile çeşitli kontrol devrelerine uygun hale getirilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2256 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok