Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN2R0-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN2R0-40YL
PSMN2R0-40YLDX Hakkında
PSMN2R0-40YLDX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ile 180A sürekli drenaj akımını destekler. 2.1mΩ düşük on-direnci (RDS(on)) sayesinde güç kaybı minimize edilir ve ısı yönetimi iyileştirilir. Entegre Schottky body diyodu ile daha hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. LFPAK56 (Power-SO8) yüzey montajlı paketlemesiyle kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 166W maksimum güç dağıtabilir. DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6581 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 166W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.05V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok