Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN2R0-30YLE,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE,115 Hakkında
PSMN2R0-30YLE,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance (2mOhm @ 25A, 10V) karakteristiğiyle güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. Surface mount SC-100 (LFPAK56) paketine sahip olan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 272W maksimum güç disipasyonu kabiliyeti ile motor kontrolü, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve yüksek akım uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate gerilimi aralığında güvenli şekilde kullanılabilen bu MOSFET, 87nC gate charge ve 5217pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5217 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 272W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok