Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN2R0-30PL,127
NOW NEXPERIA PSMN2R0-30PL - 100A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN2R0-30PL
PSMN2R0-30PL,127 Hakkında
PSMN2R0-30PL,127, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 2.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 211W güç dağılabilir. Güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate geriliminde 117nC gate charge ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6810 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 211W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok