Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN1R9-40YSDX

MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN1R9-40YS

PSMN1R9-40YSDX Hakkında

PSMN1R9-40YSDX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source voltajında 200A sürekli drenaj akımı sağlayabilen güç elektronik uygulamaları için tasarlanmış bir yarıiletkendir. 1.9mΩ düşük on-direnci (RDS(on)) sayesinde ısı kaybını minimize eder. Entegre Schottky diyot özelliği ile ters akım koruması sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Surface mount LFPAK56 paketinde sunulur. DC-DC konvertörler, motor sürücüler, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel otomasyon sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6198 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 194W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok