Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN1R9-25YLC,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN1R9-25YLC

PSMN1R9-25YLC,115 Hakkında

NXP Semiconductors tarafından üretilen PSMN1R9-25YLC, 25V drenaj-kaynak gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistörüdür. SC-100 (LFPAK56) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç değeri (2.05mOhm @ 10V) ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Motor kontrolü, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel sürücü devreleri gibi alanlarda yer almaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, maksimum 141W güç dağıtabilir. Bileşen obsolete durumda olmasına rağmen, uzun ömürlü endüstriyel uygulamalarda hâlâ tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3504 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 141W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.05mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok