Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN1R8-30PL,127
NEXPERIA PSMN1R8-30PL - 100A, 30
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN1R8-30PL
PSMN1R8-30PL,127 Hakkında
PSMN1R8-30PL,127, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 100A sürekli drenaj akımına sahip bu bileşen, düşük on-direncine (1.8mΩ @ 25A, 10V) ve 270W maksimum güç kaybı kapasitesine sahiptir. Gate şarjı 170nC olarak belirtilmiş olup, ±20V maksimum gate-source gerilimi aralığında çalışır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama güç uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10180 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 270W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok