Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN1R7-40YLDX
MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN1R7-40YLD
PSMN1R7-40YLDX Hakkında
PSMN1R7-40YLDX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilimi ve 200A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.8mOhm (10V, 25A koşullarında) düşük on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. Entegre Schottky diyot (body diode) özelliği sayesinde reverse recovery problemi azaltılır. LFPAK56 compact kasa tipi ile yüksek güç yoğunluğu sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 109nC gate charge değeri hızlı komütasyon imkanı tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 109 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7966 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 194W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.05V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok