Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN1R7-30YL,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN1R7-30YL

PSMN1R7-30YL,115 Hakkında

PSMN1R7-30YL,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 100A sürekli çalışma akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-resistance (1.7mOhm @ 10V) karakteristiği ile verimli güç transferi gerçekleştirir. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate şarj değeri 77.9nC olan bu FET, motor kontrol, güç kaynakları, yüksek akımlı anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde kullanılmaktadır. ±20V gate voltajı ve 2.15V eşik voltajı sayesinde geniş uygulama alanında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5057 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 109W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok