Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN1R7-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN1R7-25YL
PSMN1R7-25YLDX Hakkında
PSMN1R7-25YLDX, Nexperia tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source geriliminde 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 1.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kondüksiyon kayıpları sağlar. Entegre Schottky body diodu ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. LFPAK56 (SC-100) yüksek güç yoğunluklu paketlemesi sayesinde kompakt tasarımlara uygun, güç yönetimi, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 135W güç kaybı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3415 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok