Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN1R7-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN1R7-25YLC
PSMN1R7-25YLC,115 Hakkında
PSMN1R7-25YLC,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. LFPAK56 (SC-100) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Komponentin üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3735 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 164W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok