Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN1R6-30BL,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN1R6-30BL
PSMN1R6-30BL,118 Hakkında
Nexperia tarafından üretilen PSMN1R6-30BL, 30V drain-source gerilim ve 100A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 1.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama devreleri gibi yüksek akım anahtarlama işlemlerinde kullanılır. 212nC gate charge ve 12493pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Part Status olarak Last Time Buy kategorisindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 212 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12493 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 306W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok