Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN1R5-30BLEJ
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN1R5-30BLE
PSMN1R5-30BLEJ Hakkında
PSMN1R5-30BLEJ, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.5mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük ısıl kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu FET, güç dönüşüm devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaktadır. 10V gate geriliminde tam iletim özellikleri gösterir ve 228nC gate charge değeriyle hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 228 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14934 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 401W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok