Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN1R5-25YL,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN1R5-25YL
PSMN1R5-25YL,115 Hakkında
Nexperia tarafından üretilen PSMN1R5-25YL,115, N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarına uygun bir bileşendir. 1.5mΩ (10V, 15A şartlarında) son derece düşük RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. SC-100 (LFPAK56) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde, güç kaynağı uygulamalarında ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 109W güç yayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4830 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 109W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok