Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN1R2-25YLC,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PSMN1R2-25YLC

PSMN1R2-25YLC,115 Hakkında

Nexperia tarafından üretilen PSMN1R2-25YLC, 25V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 1.3mΩ @ 25A, 10V maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybında yüksek verimlilik sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan transistör, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 179W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında, DC-DC konverterlerde, motor kontrolü devrelerinde ve yüksek akım şaltelemesi gerektiren tasarımlarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4173 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok