Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN165-200K,518
MOSFET N-CH 200V 2.9A 8SO
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN165-200K
PSMN165-200K,518 Hakkında
PSMN165-200K,518, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 165mΩ on-state direnci ile verimli çalışma sağlar. 8-SO yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol sistemleri, power supply tasarımları ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Dikkat: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok