Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN165-200K518
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN165-200K518
PSMN165-200K518 Hakkında
PSMN165-200K518, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi (Vdss) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 2.9A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 165mΩ maksimum RDS(on) değeriyle verimli anahtarlama sağlar. ±20V Vgs ile geniş gate kontrol aralığı sunmaktadır. 8-SO yüzey monte paketinde barındırılan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor sürücüleri, LED kontrol ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 40nC gate yükü ve düşük giriş kapasitansı hızlı komütasyon özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok