Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN130-200D,118
MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN130-200D
PSMN130-200D,118 Hakkında
PSMN130-200D,118, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj desteği ve 20A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 130mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. Surface Mount montaj tipine sahip TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulmaktadır. Güç dönüşümü, motor kontrol, güç kaynakları ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 150W güç saçabilir. ±20V gate voltaj kapasitesi ve 4V maksimum gate threshold voltajı ile geniş uygulama alanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok