Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN102-200Y,115
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN102-200Y
PSMN102-200Y,115 Hakkında
PSMN102-200Y,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 21.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V drive voltajında 102mOhm olan açık kapı direnci ile güç uygulamalarında kullanılır. LFPAK56 yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olarak geliştirilmiştir. Endüstriyel kontrol devrelerine, motor sürücülerine, güç kaynağı uygulamalarına ve anahtarlama devreleri tasarımlarında tercih edilir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında ve 113W maksimum güç tüketiminde kararlı çalışır. Gate charge değeri 30.7nC olup hızlı komütasyon işlemleri gerektiren uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1568 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 113W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok