Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN070-200P,127-NXP
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN070-200P
PSMN070-200P,127-NXP Hakkında
PSMN070-200P,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 35A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yer alır. 70mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 250W güç tüketim kapasitesine sahiptir. Gate charge karakteristiği 77nC@10V olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok