Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN070-200B,118-NEX
MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN070-200B
PSMN070-200B,118-NEX Hakkında
PSMN070-200B,118-NEX, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 70mΩ açık devre direnci (Rds On) ile düşük ısı kaybı sağlar. TO-263 D²Pak paketinde surface mount olarak tasarlanmıştır. Endüstriyel sürücü devreleri, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrolü gibi alanlarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabilitesi sağlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok