Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN069-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN069-100YS
PSMN069-100YS,115 Hakkında
Nexperia tarafından üretilen PSMN069-100YS,115, 100V drain-source voltaj derecelendirmesi ile N-channel MOSFET'tir. 25°C'de 17A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 72.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 56W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72.4mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok