Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN057-200B,118

MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PSMN057-200B

PSMN057-200B,118 Hakkında

Nexperia tarafından üretilen PSMN057-200B,118, 200V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 39A sürekli drain akımı ve 250W maksimum güç disipasyonuna sahip bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 57mOhm (10V, 17A) düşük on-state direnci, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, elektrik aletleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde verimli güç yönetimi sağlar. Surface mount D²Pak (TO-263-3) paketi ile kompakt tasarım gerektiren uygulamalara uygundur. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3750 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok