Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN050-80BS,118
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN050-80BS
PSMN050-80BS,118 Hakkında
PSMN050-80BS,118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 22A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 46mΩ maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-263-3 (D²Pak) SMD paket türüne sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 56W güç hızlayan kapasitesine sahiptir. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 633 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok