Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN039-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN039-100YS
PSMN039-100YS,115 Hakkında
PSMN039-100YS,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 28.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SC-100 (LFPAK56) yüzeye monte paketinde sunulan transistör, 39.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu FET, endüstriyel uygulamalar, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1847 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok