Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN035-100LS,115

MOSFET N-CH 100V 27A 8DFN

Paket/Kılıf
8-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PSMN035-100LS

PSMN035-100LS,115 Hakkında

NXP Semiconductors tarafından üretilen PSMN035-100LS,115, N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 27A sürekli drain akımı ile düşük güç kaybı uygulamalarında kullanılır. 8-VDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri ve motor kontrollerinde yer almaktadır. 32mΩ maksimum on-direnç (Vgs=10V, Id=10A) ile verimli enerji aktarımı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 65W maksimum güç dağılımı kapasitesi, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilen düşük kapasitans değerleri (Ciss: 1350pF) ile birleştirilmiştir. Endüstriyel, otomotiv ve tüketici elektronikleri uygulamalarına uygun bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok