Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN028-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN028-100YS
PSMN028-100YS,115 Hakkında
Nexperia tarafından üretilen PSMN028-100YS,115, 100V drain-source gerilimi ve 42A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) paketinde sunulan bu transistör, 27.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 33nC gate charge ve 1634pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 89W maksimum güç dağılımı yapabilir. ±20V Vgs toleransı ile geniş kontrol voltajı aralığında kullanılabilir. Endüstriyel sürücü uygulamaları, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1634 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok