Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PSMN026-80YS,115
MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PSMN026-80YS
PSMN026-80YS,115 Hakkında
Nexperia tarafından üretilen PSMN026-80YS,115, N-channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj ve 34A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) paketinde yüzey montajlı olarak sunulmaktadır. 27.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında işletilir. 74W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. Güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrolü, güç anahtarlaması ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok