Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PSMN023-80LS,115

MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN

Paket/Kılıf
8-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PSMN023-80LS

PSMN023-80LS,115 Hakkında

PSMN023-80LS,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 34A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 23mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp sağlar. 8-VDFN (3.3x3.3mm) yüzey monte paketi, kompakt tasarımlar için uygun olup, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 65W güç tüketimine dayanıklıdır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) konumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1295 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok